ALD周期四個(gè)步驟
發(fā)表時(shí)間：2023-08-19
ALD (Atomic Layer Deposition) ，原子層沉積是一種化學(xué)氣相沉積技術(shù)，用于薄膜的制備。ALD通常由以下四個(gè)步驟組成：
1. 供應(yīng)前體氣體：首先，兩種或多種前體氣體被引入到反應(yīng)室中。這些前體氣體通常是揮發(fā)性化合物，可以分解生成所需的材料。
2. 吸附前體氣體：在反應(yīng)室內(nèi)，材料表面會(huì)與前體氣體發(fā)生反應(yīng)，并將其吸附在表面上。這一步驟通常在低溫下進(jìn)行，以確保前體分子能夠準(zhǔn)確地吸附在表面上，并且反應(yīng)不會(huì)在氣相中發(fā)生。
3. 清洗步驟：為了確保只有所需的材料留在表面上，通常進(jìn)行清洗步驟。這可以通過(guò)引入某種清洗氣體或處理化學(xué)反應(yīng)來(lái)實(shí)現(xiàn)，以去除非所需的物質(zhì)。
4. 反應(yīng)副產(chǎn)物的去除：在反應(yīng)過(guò)程中可能會(huì)產(chǎn)生副產(chǎn)物，如氣體或固體殘留物。為了確保薄膜質(zhì)量和純凈度，必須從反應(yīng)室中去除這些副產(chǎn)物。
通過(guò)循環(huán)執(zhí)行上述步驟，可以逐層沉積所需的材料，形成高質(zhì)量、均勻且精確厚度控制的薄膜。這些特性使得ALD在微電子、光電子、能源存儲(chǔ)等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。
AGUS ALD-原子層沉積系統(tǒng)：http://prdjc.cn/Product.aspx?cid=5
